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多層片式陶瓷電容
※高頻類： 此類介質材料的電容器為Ⅰ類電容器，包括通用型高頻C0G(NPO)電容器和溫度補償型高頻HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL電容器。
尺寸: 1206(3216)
額定電壓: 25V
標準容量: 10nF~47nF
電阻: N(三層電鍍)
介質材料: X7R
誤差: K:±10%
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額定電壓: 25V
標準容量: 10nF~47nF
電阻: N(三層電鍍)
介質材料: X7R
誤差: K:±10%
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0755-83984936
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※高頻類： 此類介質材料的電容器為Ⅰ類電容器，包括通用型高頻C0G(NPO)電容器和溫度補償型高頻HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL電容器。其中C0G(NPO)電容器電性能最穩(wěn)定，幾乎不隨溫度、電壓和時間的變化而變化，適用于低損耗，穩(wěn)定性要求高的高頻電路，HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL電容器容量隨溫度變化而相應變化，適用于低損耗、溫度補償型電路中。
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